Structural Imperfections of the Hydroxyapatite Surface Layer to Engineer Its Electrical Potential
Promocijas darba kopsavilkums
Anna Bystrova, Rīgas Tehniskā universitāte, Latvija
https://orcid.org/0000-0003-4342-5335
Promocijas darba mērķis ir noteikt hidroksiapatīta (HAp) defektu (piemēram, OH grupu, H, O vakanču, starpmezglu H atomu un to kombināciju) ietekmi uz HAp virsmas elektrisko potenciālu. Tas savukārt ietekmē HAp bioloģisko savietojamību un kontrolē šūnu adhēziju.
HAp satur dažādas strukturālas nepilnības (defektus), un tā sastāvs nav stehiometrisks. Strukturālās nepilnības izraisa virsmas elektriskā potenciāla neviendabīgumu. Tomēr dažādo defektu – OH grupas, H, O vakanču, starpmezglu H atomu – loma un to kombinācija HAp virsmas polarizācijas veidošanā un to ietekme uz HAp virsmas lādiņu, enerģijas zonu struktūru un elektronu darba funkciju vēl nav pētīta.
Šajā darbā pirmo reizi, lai izpētītu strukturālo defektu (OH, H, O vakanču, starpmezglu H atomu un ūdeņraža atomu, kas aizpilda nepiesātinātās ūdeņraža saites) ietekmi uz HAp elektriskajām īpašībām, tika izmantotas teorētiskās un eksperimentālās pieejas.
HAp struktūru datorsimulācijas analizēja šo efektu īpašības. Tika izmantotas molekulārās mehānikas un kvantu mehānikas pusempīriskās metodes, kā arī blīvuma funkcionālās teorijas metodes.
Eksperimentālie HAp virsmas elektrisko īpašību pētījumi tika veikti ar fotoluminiscences (PL) emisiju, sinhrotronu spektroskopiju, piesliekšņa fotoelektronu (PE) emisijas spektroskopiju. Pirmo reizi eksperimentāli tika pētīta atkvēlināšanas, hidrogenēšanas, mikroviļņu un gamma starojumu un to kombināciju ietekme uz HAp defektiem. Iegūtie rezultāti ir saskaņā ar skaitļošanas datiem.
Papildus informācija
DOI | |
---|---|
Hipersaite | |
Aizstāvēšanas datums | 28.06.2021. |
ISBN (pdf) | 978-9934-22-640-3 |
Formāts | |
Lappušu skaits | 54 |
Publicēts tiešsaistē | |
Izdevējs | RTU Izdevniecība |
Publicēšanas valsts | Latvija |
Valoda |
You must be logged in to post a review.
Atsauksmes
Vēl nav nevienas atsauksmes.